單片式清洗機(jī)是專為半導(dǎo)體晶圓設(shè)計(jì)的清潔設(shè)備，采用獨(dú)立封閉腔體結(jié)構(gòu)，每次僅處理一片晶圓，杜絕批次間交叉污染風(fēng)險(xiǎn)。該設(shè)備集成了物理清洗（超聲波/兆聲波）、化學(xué)蝕刻、高壓噴淋及超純水沖洗等多種技術(shù)模塊，可精準(zhǔn)去除晶圓表面的顆粒物、有機(jī)物、金屬離子及自然氧化層等污染物，確保表面潔凈度達(dá)到原子級(jí)水平（典型指標(biāo)：顆粒數(shù)≤5個(gè)/cm2，金屬殘留＜1ppb）。適用于邏輯芯片、存儲(chǔ)器件、功率半導(dǎo)體及封裝等場(chǎng)景，覆蓋從研發(fā)試產(chǎn)到量產(chǎn)的全生命周期需求。

二、核心優(yōu)勢(shì)解析

潔凈性能

多維清洗協(xié)同作用：通過(guò)兆聲波高頻振動(dòng)（頻率＞1MHz）破壞污染物與基底的結(jié)合力，配合動(dòng)態(tài)旋轉(zhuǎn)噴淋系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)360°沖刷，再結(jié)合邊緣掃掠技術(shù)清除微流控盲區(qū)，確保復(fù)雜結(jié)構(gòu)（如FinFET溝槽、TSV通孔）內(nèi)的殘留物被剝離。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，對(duì)5nm節(jié)點(diǎn)的光刻膠殘留去除率可達(dá)99.97%。

超純介質(zhì)保障：內(nèi)置在線TOC監(jiān)測(cè)儀實(shí)時(shí)監(jiān)控去離子水電阻率（＞18MΩ·cm），搭配UF超濾膜組過(guò)濾精度達(dá)0.01μm，避免二次污染。對(duì)于特殊工藝需求，還支持N?惰性氣體保護(hù)氛圍下的干燥流程，防止氧化反應(yīng)發(fā)生。

智能化工藝控制

自適應(yīng)參數(shù)調(diào)節(jié)：基于機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)的實(shí)時(shí)反饋，自動(dòng)優(yōu)化清洗時(shí)間、溫度梯度及化學(xué)液配比。例如，當(dāng)檢測(cè)到晶背存在頑固顆粒時(shí)，系統(tǒng)會(huì)智能延長(zhǎng)局部超聲駐留時(shí)間并提升RF功率。

配方管理系統(tǒng)：預(yù)設(shè)超過(guò)50種標(biāo)準(zhǔn)工藝模板（如RCA清洗、DHF蝕刻、SC-1去膠），用戶可根據(jù)產(chǎn)品特性一鍵調(diào)用或自定義編程，歷史數(shù)據(jù)云端存儲(chǔ)支持追溯分析。

故障自診斷功能：搭載振動(dòng)傳感器與壓力變送器網(wǎng)絡(luò)，可提前預(yù)警泵體氣蝕、密封圈磨損等問(wèn)題，維護(hù)周期較傳統(tǒng)設(shè)備延長(zhǎng)40%。

模塊化靈活配置

快速換型能力：采用磁吸式卡槽設(shè)計(jì)，可在30分鐘內(nèi)完成不同尺寸晶圓（從50mm化合物半導(dǎo)體到300mm硅片）的適配切換，滿足多品種小批量生產(chǎn)需求。

功能擴(kuò)展接口：預(yù)留等離子清洗、紫外線固化等選配模塊安裝位，方便客戶根據(jù)工藝路線升級(jí)設(shè)備功能。例如，添加ALD鈍化層沉積組件后，可實(shí)現(xiàn)清洗與表面改性的一體化操作。

節(jié)能環(huán)保設(shè)計(jì)

循環(huán)利用系統(tǒng)：配備雙級(jí)回收裝置，將使用過(guò)的硫酸、雙氧水等化學(xué)品進(jìn)行蒸餾提純?cè)偕?，溶劑利用率提升?2%，危廢處理成本降低60%。

低能耗模式：在待機(jī)狀態(tài)下自動(dòng)切換至節(jié)能電路，功耗降至常規(guī)運(yùn)行的30%，符合SEMI S23能效標(biāo)準(zhǔn)。

三、技術(shù)參數(shù)亮點(diǎn)