美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 助力光學(xué)薄膜技術(shù)發(fā)展
上海伯東美國 KRi 高能量射頻離子源 RFICP 220 應(yīng)用于光學(xué)鍍膜機, 增強光學(xué)基片反射及透射率, 助力光學(xué)薄膜技術(shù)發(fā)展.

KRi 射頻離子源在光學(xué)鍍膜機中的作用
設(shè)備: 自主搭建光學(xué)鍍膜機, 光學(xué)薄膜強激光裝置組成部分之一
美國KRi 高能射頻離子源: RFICP 220
作用: 通過玻璃鏡片表面清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 增強光學(xué)基片反射及透射率. 從而加強激光束, 對薄膜內(nèi)部進行雜質(zhì)和缺陷消除, 解決光學(xué)薄膜內(nèi)部因存在雜質(zhì)與缺陷導(dǎo)致的激光損傷問題

真空環(huán)境下, KRi 射頻離子源通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學(xué), 以增加表面和原子 / 分子的流動性, 實現(xiàn)薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到需要的材料. 同時 KRi 射頻離子源可以對工藝過程優(yōu)化, 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積.

上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 220 : 高能量射頻離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 滿足 200 mm (8英寸) 晶圓應(yīng)用. 射頻離子源 RFICP 220 可以很好的控制離子束沉積或濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 標準配置下RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. KRi 離子源在真空環(huán)境中實現(xiàn)薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能, 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理


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