CISSOID推出高溫電源模塊CHT-PLUTO，它可在-55～225℃的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)可靠的運(yùn)行，并輸出高達(dá)60A的電流。CHT-PLUTO是一種雙碳化硅MOSFET模塊，主要應(yīng)用于在低端和均可持續(xù)供應(yīng)30A電流的半橋。低端和的兩個(gè)獨(dú)立開關(guān)可并聯(lián)使用，輸出總電流為60A，擊穿電壓超過1200V，當(dāng)VGS=20V時(shí)，導(dǎo)通電阻在25℃和225℃的溫度下分別低至23m?和50m?。
　　
　　由于碳化硅晶體管的開關(guān)損耗較低，故而可實(shí)現(xiàn)較高的工作頻率。CHT-PLUTO還可嵌入正向電壓Vf較低的續(xù)流肖特基二極管，它可以在死區(qū)時(shí)間降低功耗。每個(gè)開關(guān)均可采用-5/+20V的標(biāo)準(zhǔn)柵電壓進(jìn)行控制。
　　
　　CHT-PLUTO采用密封的8引腳“H8MA”金屬封裝，其尺寸規(guī)格為18mmx29mm(不包括安裝耳)。器件與封裝外殼之間采用電氣隔離。該模塊的特點(diǎn)是每個(gè)30A通道的結(jié)面至外殼熱阻都低至0.7℃/W。另外，兩個(gè)附加的源連接器則可輕松地將模塊牢牢連接到柵極驅(qū)動(dòng)器。
　　
　　CHT-PLUTO適合為功率轉(zhuǎn)換器、逆變器或電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用構(gòu)建半橋。當(dāng)將兩個(gè)開關(guān)并聯(lián)時(shí)，CHT-PLUTO的輸出電流可達(dá)60A，同時(shí)熱阻(Rth)低至0.35℃/W。還可將幾個(gè)模塊并聯(lián)，以獲得更高的輸出電流。
　　
　　CISSOID公司zui近已發(fā)布的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器HADES®v2是驅(qū)動(dòng)CHT-PLUTO的理想器件。HADES®v2的峰值電流和dV/dT耐用性均較高，因此可實(shí)現(xiàn)快速切換，降低模塊功耗。借助這些優(yōu)化功能，電源設(shè)計(jì)人員可以提高工作頻率，為無源元件(輸入/輸出濾波器、去耦電容器)選擇下限值，從而在這些高成本的元件上節(jié)約大量成本，并減小系統(tǒng)的體積和重量。CHT-PLUTO與HADES®v2的結(jié)合打開了使用結(jié)構(gòu)緊湊的、高度集成的功率轉(zhuǎn)換器/電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的大門，這些功率轉(zhuǎn)換器/電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的額定功率從幾千瓦到幾十千瓦不等，在高達(dá)225℃的溫度下也可實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行。
　　
　　CISSOID公司的技術(shù)官PierreDelatte表示：“CHT-PLUTO是我們?yōu)楦邷?高壓電源開關(guān)推出的第二款產(chǎn)品。繼2013年推出10A/1200V單極開關(guān)CHT-NEPTUNE之后，CHT-PLUTO又為我們帶來了額定電流更高且同樣支持環(huán)境(從-55℃到225℃)的半橋模塊。經(jīng)過大量的研發(fā)努力，現(xiàn)在，我們可以自豪地推出這款能夠戰(zhàn)勝高溫挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行的CHT-PLUTO產(chǎn)品。CHT-PLUTO真正滿足了系統(tǒng)設(shè)計(jì)師對(duì)CISSOID產(chǎn)品的期望：讓CISSOID做到言行如一。該模塊在不降低原有解決方案耐用性的條件下，為高溫大功率應(yīng)用帶來了新的可能。”