雙向晶閘管的發(fā)展現(xiàn)狀在我國(guó)精管行業(yè)發(fā)展很快。國(guó)內(nèi)分立器件 廠商的主要產(chǎn)品以硅基二極管、三極管和晶閘管為主，目前功率半導(dǎo)體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來(lái)才有所涉及，且主要為平面柵結(jié)構(gòu)的 VDMOS器件，IGBT還處于研發(fā)階段。寬禁帶半導(dǎo)體器件主要是以微波功率器件(SiCMESFET和GaNHEMT)為主，尚未有針對(duì)市場(chǎng)應(yīng)用的寬禁 帶半導(dǎo)體產(chǎn)品器件的產(chǎn)品研發(fā)。

　　從功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品分類來(lái)說(shuō)

　　一、普通二極管、三極管國(guó)內(nèi)的自給率已經(jīng)很高，但是在的功率二極管，大部分還依賴進(jìn)口，國(guó)內(nèi)的產(chǎn)品性能還有不小的差距。

　　二、ABB晶閘管類器件產(chǎn)業(yè)成熟，種類齊全，普通晶閘管、快速晶閘管、超大功率晶閘管、光控晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、高頻晶閘管都能生 產(chǎn)。中國(guó)南車集團(tuán)現(xiàn)在可以生產(chǎn)6英寸、4000A、8500V超大功率晶閘管，居世界水平，已經(jīng)在我國(guó)的機(jī)車上大量使用，為我國(guó)的鐵路現(xiàn)代化建設(shè)做出 了貢獻(xiàn)。

　　三、在功率管領(lǐng)域，逐步有國(guó)內(nèi)的企業(yè)技術(shù)水平上升到MOS工藝，MOSFET的產(chǎn)業(yè)有一定規(guī)模，進(jìn)入21世紀(jì)后，這類器件的產(chǎn)品已批量進(jìn)入市場(chǎng)，幾十安培、200V的器件在民用產(chǎn)品上獲得了廣泛應(yīng)用，進(jìn)口替代已然開(kāi)始。

　　四、IGBT、FRD已經(jīng)有所突破，F(xiàn)RD初見(jiàn)規(guī)模。IGBT從封裝起步向芯片設(shè)計(jì)制造發(fā)展，從PT結(jié)構(gòu)向NPT發(fā)展，溝槽工藝正在開(kāi)發(fā)中。IGBT產(chǎn)品進(jìn)入中試階段，

　　五、在電源管理領(lǐng)域，2008年*名都見(jiàn)不到國(guó)內(nèi)的企業(yè)。

　　從功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)說(shuō)

　　一、設(shè)計(jì)：國(guó)內(nèi)IGBT還處于研制階段，還沒(méi)有商品化的IGBT投入市場(chǎng)，我國(guó)IGBT芯片的產(chǎn)業(yè)化道路比較漫長(zhǎng)。目前國(guó)內(nèi)的民營(yíng)和海歸人士設(shè)立的公司已經(jīng)研發(fā)出了低端的IGBT產(chǎn)品，如常州宏微、嘉興斯達(dá)。南車集團(tuán)就不說(shuō)了。

　　二、制造：IGBT對(duì)于技術(shù)要求較高，國(guó)內(nèi)企業(yè)還沒(méi)有從事IGBT生產(chǎn)。考慮到IP保護(hù)以及技術(shù)因素的限制，外資IDM廠商也沒(méi)有在國(guó)內(nèi)進(jìn)行IGBT晶圓制造和封裝的代工。目前華虹NEC和成芯的8寸線、華潤(rùn)上華和深圳方正的6寸線均可提供功率器件的代工服務(wù)。

　　三、封裝：我國(guó)只有少數(shù)企業(yè)從事中小功率IGBT的封裝，而且尚未形成規(guī)模化生產(chǎn)，在IGBT芯片的產(chǎn)業(yè)化以及大功率IGBT封裝領(lǐng)域的技術(shù)更是一片空白。

　　從功率半導(dǎo)體工藝發(fā)展來(lái)說(shuō)

　　一、BCD工藝已從無(wú)到有，從低壓向高壓發(fā)展，從硅基向SOI基發(fā)展。

　　二、從封裝起步向芯片設(shè)計(jì)制造發(fā)展，從PT結(jié)構(gòu)向NPT發(fā)展，溝槽工藝正在開(kāi)發(fā)中。