MOV與通用型壓敏電阻性能要求的主要區(qū)別

2012年12月15日 21:14:23人氣：820來源：揚(yáng)州中恒電氣有限公司

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MOV與通用型壓敏電阻性能要求的主要區(qū)別

限壓型SPD使用的MOV芯片幾何尺寸大、通流容量要求高，殘壓比要求小。例如34×34mm芯片要求8/20μs標(biāo)稱通流In 20kA、Imax 40kA/2次；而Φ20通用型壓敏電阻zui大通流容量為10kA/1次；前者瞬間電流密度為34.6A/mm2 ，后者為31.8A/mm2，二者相差10%；前者需經(jīng)受二次不損壞，而后者僅需一次；前者制作成SPD后還需經(jīng)受熱平衡考驗(yàn)（指MOV芯片分別流過2mA-的工頻交流電流），所以前者焦?fàn)枱崛萘恳蟊群笳咭蠛芏?。由于幾何尺寸大，形狀異，電氣性能要求高，SPD用MOV芯片在制造工藝及電氣參數(shù)特性上有其特殊性。這二種產(chǎn)品性能要求的側(cè)重異同見下表：

在此重點(diǎn)介紹一下SPD用MOV芯片要重視熱容量的理由：SPD的熱脫離原理是利用MOV芯片失效后在工頻負(fù)荷的作用下，其泄漏電流不斷增大導(dǎo)致芯片發(fā)熱將熱脫離機(jī)構(gòu)的低熔點(diǎn)合金焊接點(diǎn)熔化脫離切斷電路以達(dá)到保護(hù)目的，MOV芯片自身還存在熱熔擊穿的問題，一旦MOV芯片被熱熔擊穿，就成了一個(gè)阻值很低的導(dǎo)體，造成系統(tǒng)短路，有時(shí)會(huì)起弧使模塊內(nèi)的物質(zhì)迅速氣化、壓力驟增造成爆炸、噴火燃燒，損毀設(shè)備、建筑。故熱脫離機(jī)構(gòu)必須在MOV芯片被熱熔擊穿前實(shí)現(xiàn)脫離，熱容量大的MOV芯片在被熱熔擊穿前可堅(jiān)持更長(zhǎng)的時(shí)間以保證熱脫離機(jī)構(gòu)的低熔點(diǎn)合金焊接點(diǎn)熔化，此即要重視MOV芯片熱容量的理由。對(duì)同種材料來說，一般只能通過增加物質(zhì)量來提高熱容量，在徑向尺寸固定的情況下，則只有增大軸向尺寸即芯片厚度來增大其熱容量；但是芯片厚度增加同時(shí)帶來了殘壓升高的問題，故對(duì)芯片的性能要求應(yīng)當(dāng)綜合平衡，不可過分強(qiáng)調(diào)其一。

關(guān)鍵詞：壓敏電阻

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