認證通過！英偉達批準三星8層HBM3E存儲芯片

2025-02-07 08:32:02來源：快科技關鍵詞：英偉達三星存儲芯片閱讀量：22390

導讀：HBM（High Bandwidth Memory）是一種高帶寬內存標準，主要用于滿足日益增長的計算需求。相比傳統(tǒng)內存，HBM可以提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的延遲。

　　據(jù)報道，知情人士透露，三星電子已獲得批準向英偉達供應其第五代高帶寬存儲芯片的一個版本。

　　三星的8層HBM3E(一種較低級的HBM3E品種)據(jù)悉于12月獲得英偉達的批準。三星和英偉達的代表拒絕置評。

　　據(jù)悉，HBM（High Bandwidth Memory）是一種高帶寬內存標準，主要用于滿足日益增長的計算需求。相比傳統(tǒng)內存，HBM可以提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的延遲。

　　HBM3E是最新的HBM技術標準，主要用于滿足如人工智能、機器學習等對于海量數(shù)據(jù)處理的需求。

　　英偉達作為全球領先的AI和深度學習技術提供商，與三星的合作顯示了兩家企業(yè)在技術上的高度契合。通過結合英偉達的計算平臺與三星的存儲技術，雙方將進一步打破計算能力的瓶頸。這種合作不僅將促進更快的AI模型訓練和推理，也會讓新型應用，如自動駕駛、智能IoT設備等成為可能。

　　市場研究顯示，全球人工智能芯片市場預計將在未來幾年內以超過20%的年均增長率增長。這一背景下，英偉達的批準無疑將為三星打開更為廣闊的市場前景，使其在高性能計算市場中占據(jù)更加重要的地位。

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