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IGBT驅動變壓器價格

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱北京創(chuàng)四方電子集團股份有限公司
  • 品       牌
  • 型       號DRT803/111
  • 所  在  地北京市
  • 廠商性質其他
  • 更新時間2025/4/16 9:22:14
  • 訪問次數3258
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  創(chuàng)四方集團是一家致力于新能源電流/電壓傳感器、新能源電抗器/特種變壓器、小型精密電磁元器件、電動汽車交/直流充電樁電源、模塊電源、開板電源、網格電源的研發(fā)、設計、生產、銷售、服務的高新技術企業(yè),總部位于中關村電子城科技園區(qū)IT產業(yè)園,擁有“BingZi兵字 ”和“TransFar創(chuàng)四方”兩大自主品牌,產品覆蓋全國并遠銷海外。集團擁有占地面積80余畝,建筑面積40000m²的福建產業(yè)基地(位于福建省南平市武夷新區(qū)高新技術產業(yè)園區(qū)內)。集團系中國電源學會理事單位,北京電源行業(yè)協(xié)會常務理事單位,中國電子質量管理協(xié)會會員單位, 電車人產業(yè)聯盟理事單位,ISO9001質量體系認證單位,中國電子行業(yè)用戶滿意企業(yè)、用戶滿意產品單位。   經過多年發(fā)展,公司匯聚了一批高素質的專業(yè)技術人才,在各類產品上都能實現有針對性的專業(yè)性設計和高品質制造。所有產品都具有結構布局合理、隔離耐壓高、散熱好、環(huán)境適應能力強等顯著優(yōu)點,可廣泛應用于新能源電動汽車、光伏發(fā)電、風力發(fā)電、電力智能化、鐵路、工業(yè)控制系統(tǒng)、電力電子裝置、智能儀器儀表、通用電器設備等不同行業(yè)復雜的使用環(huán)境中。    我公司的設計將以市場需求為導向,不斷創(chuàng)新,關注客戶并努力為客戶創(chuàng)造價值,與業(yè)界同仁攜手并進,共同為電子元器件市場和電力電子行業(yè)的繁榮與發(fā)展做出應有的貢獻。
 
  公司愿景:
 
  讓電與磁的結合更完美,致力成為電磁技術領域受人尊敬的世界一流企業(yè)。
 
  公司使命:
 
  讓自動化更精準、更節(jié)能、更可靠、更安全。
 
  核心價值觀:
 
  專業(yè)、專注;勤勉、務實;品質、安全;共贏、成長。
 
  公司宗旨:
 
  “創(chuàng)造一流,四海皆知,方顯卓越”
 
  質量方針:
 
  提供優(yōu)質產品,滿足顧客不斷增長和變化的需求,實現市場領先和利潤增長的目標,從而體現“創(chuàng)造一流,四海皆知,方顯卓越”的企業(yè)宗旨。
 
  公司文化:
 
  “敬業(yè)、實干”、“平等、尊重及團隊精神”
 
  公司目標:
 
  “以新穎的設計思想,獨到的經營理念和卓有成效的管理為基礎,立足創(chuàng)新,實現市場領先和利潤增長。”
變壓器,互感器,電量傳感器,模塊電源,電抗器
IGBT驅動變壓器價格系我公司為驅動IGBT和MOSFET而專門研制的產品,以非晶合金和納米晶合金作為磁芯
IGBT驅動變壓器價格 產品信息

 

“動力星”DRT803/111B

IGBT驅動變壓器價格

    IGBT驅動變壓器價格系我公司為驅動IGBTMOSFET而專門研制的產品,以非晶合金和納米晶合金作為磁芯,可滿足多項應用要求。

 

    一.產品特點:

    耦合電容低,使之具有很高的抗干擾能力;

    漏感小,保證了更好的輸出脈沖波形;

    無開關延時、瞬時傳輸功率高;

    抗電強度高,安全可靠;

    全封閉,機械和耐環(huán)境性能好;

    體積小巧,結構緊湊,外形美觀,針腳穿孔式安裝,使用方便。

 

    二.使用條件:

    環(huán)境溫度:-40~+85℃

    相對濕度:溫度為40時不大于90%

    大氣壓力:860~1060mbar(約為650~800mmHg)

 

    三.絕緣耐熱等級:F(155℃)

 

    四.安全特性:

    絕緣電阻:常態(tài)時大于1000MΩ

    阻燃性:符合UL94-V0

 

    五.各參數意義及外形圖、安裝尺寸、線圈圖和主要技術參數(典型值)

    ① 各參數的意義:

    u—變比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。

    VP各繞組之間施加的抗電強度試驗電壓之有效值,持續(xù)時間60s。

    ∫udt—額定伏微秒積≈V1·tn在一定頻率范圍內其值基本不變。

    V1輸入脈沖幅度初級脈沖電壓

    tn在相應的V1FP下驅動變壓器的額定傳輸脈寬。

    V2輸出脈沖幅度次級脈沖幅度)。

    RL—IGBT模塊或MOSFET控制級等效電阻。

    LP線圈初級電感量 f=1000Hz V=0.3V

    LS漏感將次級繞組短路后測量)f=1000Hz V=1V

    CK分布電容   f=1000Hz V=1V

    ② 外形圖、安裝尺寸、線圈圖及主要技術參數

 

 

u

Vp

(kV)

初級電感

LP

漏感

LS

分布電容

CK

∫udt

(μV S)

V1

(V)

tn

(μS)

V2

(V)

RL

(Ω)

使用頻率范圍

1:1:1

6.0

3.5mH

4.5μH

50pF

≥1000

15

66.6

13

100

100Hz~50 kHz

 

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