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北京創(chuàng)四方電子集團股份有限公司

PRODUCT DISPLAY

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IGBT驅動變壓器

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產品型號:DRT801/101A

品       牌:

廠商性質:其他

所  在  地:北京市

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更新時間:2025-04-15 21:37:42瀏覽次數:2992次

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DRT系列IGBT驅動變壓器系我公司為驅動IGBT和MOSFET而專門研制的產品,以非晶合金和納米晶合金作為磁芯

 

動力星DRT801/101A

IGBT驅動變壓器

    DRT系列IGBT驅動變壓器系我公司為驅動IGBTMOSFET而專門研制的產品,以非晶合金和納米晶合金作為磁芯,可滿足多項應用要求。

 

    一.產品特點:

    耦合電容低,使之具有很高的抗干擾能力;

    漏感小,保證了更好的輸出脈沖波形;

    無開關延時、瞬時傳輸功率高;

    抗電強度高,安全可靠;

    全封閉,機械和耐環(huán)境性能好;

    體積小巧,結構緊湊,外形美觀,針腳穿孔式安裝,使用方便。

 

    二.使用條件

    環(huán)境溫度:-40~+85℃

    相對濕度:溫度為40時不大于90%

    大氣壓力:860~1060mbar(約為650~800mmHg)

 

    三.絕緣耐熱等級F(155℃)

 

    四.安全特性:

    絕緣電阻:常態(tài)時大于1000MΩ

    阻燃性:符合UL94-V0

 

    五.各參數意義及外形圖、安裝尺寸、線圈圖和主要技術參數典型值

    ① 各參數的意義:

    u—變比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。

    VP各繞組之間施加的抗電強度試驗電壓之有效值,持續(xù)時間60s。

    ∫udt—額定伏微秒積≈V1·tn在一定頻率范圍內其值基本不變

    V1輸入脈沖幅度初級脈沖電壓。

    tn在相應的V1FP下驅動變壓器的額定傳輸脈寬。

    V2輸出脈沖幅度次級脈沖幅度)。

    RL—IGBT模塊或MOSFET控制級等效電阻。

    LP線圈初級電感量 f=1000Hz V=0.3V

    LS漏感將次級繞組短路后測量)f=1000Hz V=1V

    CK分布電容   f=1000Hz V=1V

    ② 外形圖、安裝尺寸、線圈圖及主要技術參數

 

 

u

Vp

(kV)

初級電感

LP

漏感

LS

分布電容

CK

∫udt

(μV S)

V1

(V)

tn

(μS)

V2

(V)

RL

(Ω)

使用頻率范圍

1:1

3.1

8mH

12μH

25pF

≥280

15

19

13

100

100Hz~50 kHz

 

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